Gate-electric field control of tunnel magnetoresistance in Ni-C60-Ni single molecule transistors
Gate-electric field control of tunnel magnetoresistance in Ni-C60-Ni single molecule transistors
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Ni-C60-Ni单分子晶体管隧道磁阻的栅极电场控制
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Hirakawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K;Yoshida;I;Hamada;S. Sakata;A;Umeno;M;Tsukada;and K;Hirakawa
