Beyond G-band: a 235 GHz InP MMIC amplifier
Beyond G-band: a 235 GHz InP MMIC amplifier
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超越 G 频段：235 GHz InP MMIC 放大器
DOI：
10.1109/lmwc.2005.859984
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发表时间：
2005
影响因子：
3
通讯作者：
R. Raja
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D. Dawson;L. Samoska;A. Fung;K. Lee;R. Lai;R. Grundbacher;Po;R. Raja
我们目前的结果在InP单片毫米波集成电路（MMIC）放大器具有10 dB的增益在235 GHz。我们设计了这个电路，并在诺斯罗普格鲁曼空间技术公司（NGST）的0.07-/spl μ/m InP高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺制造的芯片。使用WR 3（220- 325 GHz）波导矢量网络分析仪系统连接到波导晶片探针，我们测量了该芯片的S参数。据我们所知，这是第一次WR 3波导片上测量系统已被用于测量增益在MMIC放大器超过230 GHz。
We present results on an InP monolithic millimeter-wave integrated circuit (MMIC) amplifier having 10-dB gain at 235GHz. We designed this circuit and fabricated the chip in Northrop Grumman Space Technology's (NGST) 0.07-/spl mu/m InP high electron mobility transistor (HEMT) process. Using a WR3 (220-325GHz) waveguide vector network analyzer system interfaced to waveguide wafer probes, we measured this chip on-wafer for S-parameters. To our knowledge, this is the first time a WR3 waveguide on-wafer measurement system has been used to measure gain in a MMIC amplifier above 230GHz.