InAlGaN超薄势垒层结构高频GaN HEMT器件
InAlGaN超薄势垒层结构高频GaN HEMT器件
复制标题
DOI：
10.19623/j.cnki.rpsse.2017.05.001
复制
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
陈堂胜
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
朱广润;孔月婵;张凯;郁鑫鑫;陈堂胜
