Molecular beam epitaxy of (ErxSc1-x)2O3 on Si(111) for active integrated optical devices
Molecular beam epitaxy of (ErxSc1-x)2O3 on Si(111) for active integrated optical devices
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用于有源集成光学器件的 (ErxSc1-x)2O3 在 Si(111) 上的分子束外延
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Sogawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Omi;T. Tawara;T. Hozumi;R. Kaji;S. Adachi;H. Gotoh;T. Sogawa
