Doping of Silicon Crystals with Bi and other Volatile Elements by the Pedestal Growth Technique
Doping of Silicon Crystals with Bi and other Volatile Elements by the Pedestal Growth Technique
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通过基座生长技术用 Bi 和其他挥发性元素掺杂硅晶体
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
N. Nötzel
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Riemann;N. Abrosimov;N. Nötzel
