Hot-mesh CVD for growth of GaN films on (100) GaAs
Hot-mesh CVD for growth of GaN films on (100) GaAs
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用于在 (100) GaAs 上生长 GaN 薄膜的热网 CVD
DOI：
10.1016/j.tsf.2004.06.067
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
T. Akahane
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Yasui;Mitsuyoshi Ishibashi;Yoshiaki Taima;T. Akahane
