Vacancy Model for Threshold Electromigration in Thin Metallic Films
Vacancy Model for Threshold Electromigration in Thin Metallic Films
复制标题
金属薄膜中阈值电迁移的空位模型
DOI：
10.4028/www.scientific.net/ddf.194-199.55
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发表时间：
2001
影响因子：
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通讯作者：
L. Shvindlerman
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Aleshin;L. Shvindlerman
