Contact Engineering for High-Performance N-Type 2D Semiconductor Transistors

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高性能 N 型 2D 半导体晶体管的接触工程

DOI:
10.1109/iedm19574.2021.9720668
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发表时间:
2021
期刊:
IEEE International Electron Device Meeting (IEDM
影响因子:
--
通讯作者:
Tang, H.-L.
Tang, H.-L.
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
Lin, Y.;Shen, P.-C.;Su, C.;Chou, A.-S.;Wu, T.;Cheng, C.-C.;Park, J.-H.;Chiu, M.-H.;Lu, A.-Y.;Tang, H.-L.

文献摘要

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