A Radiation-Hardened 12-bit SAR ADC Design
A Radiation-Hardened 12-bit SAR ADC Design
复制标题
抗辐射 12 位 SAR ADC 设计
DOI：
10.1109/icrito.2018.8748621
复制
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Zicai Shen
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Honghui Tang;Haibin Wang;Zhijian Hui;Tao Qin;Xinyi Hu;Y. Ibrahim;Xixi Dai;Yangsheng Wang;L. Cai;G. Guo;Zicai Shen
基于电荷再分配电容的逐次逼近寄存器（SAR）是模数转换器（adc）中最常见的拓扑结构之一。然而，这种拓扑结构容易产生辐射引起的错误，特别是单事件瞬态（SET）。其结果是错误的输出序列，甚至系统崩溃。在本文中，我们将提出一种新颖的12位SAR ADC设计。仿真结果表明，与参考设计相比，该设计具有明显更高的SET容忍度。
Charge redistribution capacitance based Successive approximation register (SAR) is one of the most common topologies of analog-to-digital converters (ADCs). However, this topology is prone to radiation-induced errors, particularly Single Event Transient (SET). The consequences are erroneous output sequences oreven system crash. In this paper, we will propose a novel design of a 12-bit SAR ADC. Simulation results demonstrate that it features significantly higher tolerance to SET when compared to the reference design.