Effects of NO Annealing on 4H-SiC MOSFETs with Deposited and Thermally Grown Oxides Fabricated on Various Crystal Faces
Effects of NO Annealing on 4H-SiC MOSFETs with Deposited and Thermally Grown Oxides Fabricated on Various Crystal Faces
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NO 退火对在不同晶面上制造的沉积和热生长氧化物的 4H-SiC MOSFET 的影响
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Tsunenobu Kimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yuichiro Nanen;Jun Suda;Tsunenobu Kimoto
