Achieving ZT=2.2 with Bi-doped n-type SnSe single crystals.
Achieving ZT=2.2 with Bi-doped n-type SnSe single crystals.
复制标题
DOI：
10.1038/ncomms13713
复制
发表时间：
2016-12-12
影响因子：
16.6
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
SnSe是一种层状硫系材料，由于其优异的p型热电性能，在923 K时ZT值高达2.6，引起了人们的广泛关注。对于热电器件应用，需要具有相当ZT值的n型材料。在这里，我们报道了通过在Sn位点取代Bi成功合成了n型SnSe单晶。此外，还发现载流子浓度随Bi含量的增加而增加，这对n型SnSe单晶的热电性能有很大的影响。事实上，我们在733 K时，在载流子密度为−2.1 × 1019 cm−3的高度掺杂的n型SnSe中获得了沿b轴的最大ZT值2.2。积极地研究了p型硒化锡单晶优良的热电性能。在这里，作者表明，当掺杂铋时，n型SnSe在高温下也可以达到2左右的优点值。
Recently SnSe, a layered chalcogenide material, has attracted a great deal of attention for its excellent p-type thermoelectric property showing a remarkable ZT value of 2.6 at 923 K. For thermoelectric device applications, it is necessary to have n-type materials with comparable ZT value. Here, we report that n-type SnSe single crystals were successfully synthesized by substituting Bi at Sn sites. In addition, it was found that the carrier concentration increases with Bi content, which has a great influence on the thermoelectric properties of n-type SnSe single crystals. Indeed, we achieved the maximum ZT value of 2.2 along b axis at 733 K in the most highly doped n-type SnSe with a carrier density of −2.1 × 1019 cm−3 at 773 K. The good thermoelectric figures of merit of p-type tin selenide single crystals are actively studied. Here, the authors show that n-type SnSe can also reach a figure of merit of around 2, at high temperatures, when doped with bismuth.
登录
查看更多内容
影响因子：
2.1
作者：
Goldsmid, H. J.
通讯作者：
Goldsmid, H. J.
影响因子：
3.2
作者：
Shi, Guangsha;Kioupakis, Emmanouil
通讯作者：
Kioupakis, Emmanouil
影响因子：
64.8
作者：
Zhao, Li-Dong;Lo, Shih-Han;Kanatzidis, Mercouri G.
通讯作者：
Kanatzidis, Mercouri G.
影响因子：
1.9
作者：
Kim, Sang-ui;Anh-Tuan Duong;Kim, Jungdae
通讯作者：
Kim, Jungdae
影响因子：
3.7
作者：
Kutorasinski, K.;Wiendlocha, B.;Tobola, J.
通讯作者：
Tobola, J.