Investigation of resistive switching memory effect in a-TaOx films with atomically flat surface
Investigation of resistive switching memory effect in a-TaOx films with atomically flat surface
复制标题
原子级平坦表面 a-TaOx 薄膜中阻变记忆效应的研究
DOI：
--
复制
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Y. Takahashi
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
A. Tsurumaki-Fukuchi;M. Arita;T. Katase;H. Ohta;Y. Takahashi
