Generalized oscillator strengths of low-lying electronic excitations in acetylene
Generalized oscillator strengths of low-lying electronic excitations in acetylene
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乙炔中低位电子激发的广义振荡器强度
DOI：
10.1088/1361-6455/ab6cc5
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Takahashi Masahiko
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Watanabe Noboru;Takahashi Masahiko
本文报道了乙炔电子碰撞激发的理论研究。动量传递相关的广义振子强度 (GOS) 或 GOS 轮廓已使用运动方程耦合簇单打和双打水平的波函数计算出来。计算中考虑了分子振动的影响。计算结果与文献中报道的实验 GOS 曲线总体一致。我们的理论分析揭示了弯曲振动在电子碰撞引起的低价态激发中的重要作用。
This paper reports a theoretical study on electron-impact excitations of acetylene. Momentum-transfer-dependent generalized oscillator strengths (GOSs) or GOS profiles have been calculated using wavefunctions at the equation-of-motion coupled-cluster singles and doubles level. In the calculation the influence of molecular vibration has been taken into account. The computed results are in overall agreement with experimental GOS profiles reported in the literature. Our theoretical analysis has revealed prominent roles of bending vibrations in the low-lying valence excitations induced by electron impact.
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