α-Ga2O3のデバイス実用化とp型層の魅力
α-Ga2O3のデバイス実用化とp型層の魅力
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α-Ga2O3器件的实际应用和p型层的吸引力
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
藤田静雄
中科院分区：
文献类型：
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作者：
金子健太郎;四戸孝;藤田静雄
