High Speed, Low Noise Ultraviolet Photodetectors Based on GaN p-i-n and AlGaN(p)-GaN(i)-GaN(n) Structures
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DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.264-268.1441
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发表时间：
1997-12
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
G. Xu;A. Salvador;A. Botchkarev;W. Kim;C. Lu;H. Tang;H. Morkoç;G. Smith;M. Estes;T. Dang;P. Wolf
中科院分区：
文献类型：
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作者：
G. Xu;A. Salvador;A. Botchkarev;W. Kim;C. Lu;H. Tang;H. Morkoç;G. Smith;M. Estes;T. Dang;P. Wolf
