Estimation of Phosphorus-implanted 4H-SiC Layer Recrystallization by Electron-Back-Scattering Diffraction Pattern Analysis
Estimation of Phosphorus-implanted 4H-SiC Layer Recrystallization by Electron-Back-Scattering Diffraction Pattern Analysis
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通过电子背散射衍射图分析估算磷注入 4H-SiC 层再结晶
DOI：
10.4028/www.scientific.net/msf.821-823.391
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Seiichiro Higashi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Hiroaki Hanafusa;Keisuke Maruyama;Shohei Hayashi;and Seiichiro Higashi
