Effect of reactant dosing on selectivity during area-selective deposition of TiO 2 via integrated atomic layer deposition and atomic layer etching
Effect of reactant dosing on selectivity during area-selective deposition of TiO 2 via integrated atomic layer deposition and atomic layer etching
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通过集成原子层沉积和原子层蚀刻进行 TiO 2 区域选择性沉积过程中反应物剂量对选择性的影响
DOI：
10.1063/5.0013552
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发表时间：
2020
影响因子：
3.2
通讯作者：
Parsons, Gregory N.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Saare, Holger;Song, Seung Keun;Kim, Jung-Sik;Parsons, Gregory N.
