Polishing characteristics of silicon carbide by plasma chemical vaporization machining
Polishing characteristics of silicon carbide by plasma chemical vaporization machining
复制标题
等离子化学气化加工碳化硅的抛光特性
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Kubota and Y. Mori
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Sano;M. Watanabe;K. Yamamura;K. Yamauchi;T. Ishida;K. Arima;A. Kubota and Y. Mori
