Best practices to ensure the stability of sige HBT cascode low noise amplifiers
Best practices to ensure the stability of sige HBT cascode low noise amplifiers
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确保sige HBT共源共栅低噪声放大器稳定性的最佳实践
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J. Cressler
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Schmid;C. Coen;S. Shankar;J. Cressler
这项工作提供了一个详细的检查SiGe共源共栅低噪声放大器（LNA）的稳定性。上部基底被识别为稳定性有问题的节点。S-probe仿真用于提取电路内部的反射系数，并提供有关如何提高共源共栅放大器稳定性的见解，从而为设计人员建立“最佳实践”。这些技术被纳入一个共源共栅LNA设计上制造的180 nm，150 GHz的fT SiGe BiCMOS技术。在中心频率为9.2 GHz时，测得的SiGe LNA增益为16.5 dB，噪声系数为2.1 dB。在输入和输出端使用调谐器进行的一系列测量证实，LNA对于调谐器覆盖的所有阻抗都是稳定的（|Γ| <0.8）。
This work provides a detailed examination of the stability of SiGe cascode low noise amplifiers (LNAs). The upper base is identified as a problematic node for stability. S-probe simulations are used to extract reflection coefficients internal to the circuit and provide insight on how to improve the stability of a cascode amplifier and thereby establish “best practices” for designers. These techniques are incorporated into a cascode LNA design fabricated on a 180 nm, 150 GHz fT SiGe BiCMOS technology. The measured SiGe LNA has a gain of 16.5 dB and a noise figure of 2.1 dB at a center frequency of 9.2 GHz. A series of measurements using tuners at both the input and output confirm the LNA is stable for all impedances covered by the tuners (|Γ| <; 0.8).