Nonlinear Electron Transport Properties and Rectification Effects in lnAsIAlGaSb Ballistic Devices

Nonlinear Electron Transport Properties and Rectification Effects in lnAsIAlGaSb Ballistic Devices
复制标题

InAsIAlGaSb 弹道装置中的非线性电子传输特性和整流效应

DOI:
--
复制
发表时间:
2008
期刊:
Phys. Stat. Sol.(c) 5
影响因子:
--
通讯作者:
M. Inoue
M. Inoue
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:
M. Koyama;T. Inoue;N. Amano;T. Maemoto;S. Sasa;M. Inoue

文献摘要

相似文献