Residual Stress in GaAs Layer Grown on 4°-Off (100)Si by MBE
Residual Stress in GaAs Layer Grown on 4°-Off (100)Si by MBE
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通过 MBE 在 4°-Off (100)Si 上生长的 GaAs 层中的残余应力
DOI：
10.1557/proc-91-63
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发表时间：
1987
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Ishida
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Yao;Y. Okada;H. Kawanami;S. Matsui;A. Imagawa;K. Ishida
