"Mobility and strain evaluations of SiGe-on-insulator substrates with different SiGe layer thickness and Ge fraction
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“具有不同 SiGe 层厚度和 Ge 含量的绝缘体上 SiGe 衬底的迁移率和应变评估
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Nakashima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Yang;D. Wang;H. Nakashima
