A high performance Front End Electronics for drift chamber readout in MEG experiment upgrade
A high performance Front End Electronics for drift chamber readout in MEG experiment upgrade
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用于 MEG 实验升级中漂移室读数的高性能前端电子设备
DOI：
10.1016/j.nima.2015.11.092
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
G. Tassielli
中科院分区：
文献类型：
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作者：
G. Chiarello;C. Chiri;A. Corvaglia;F. Grancagnolo;M. Panareo;A. Pepino;C. Pinto;G. Tassielli
前端（FE）电子器件在漂移室（DC）的时间分辨率和空间分辨率中起着至关重要的作用。使用簇定时技术，通过测量第一个电离簇之后所有单个电离簇的定时，可以在测量冲击参数时达到甚至低于100 μm的分辨率。为此，为了获取和放大漂移室信号，必须使用带宽宽、噪声低的前端电子器件。
Front End (FE) Electronics plays an essential role in Drift Chambers (DC) for time resolution and, therefore, spatial resolution. The use of cluster timing techniques, by measuring the timing of all the individual ionization clusters after the first one, may enable to reach resolutions even below 100 μm in the measurement of the impact parameter. To this purpose, a Front End Electronics with a wide bandwidth and low noise is mandatory in order to acquire and amplify the drift chamber signals.
MEG II 液氙探测器和模拟
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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作者：
Kensuke Yamamoto;Sei Ban;Kei Ieki;Atsuhiko Och;Rina Onda;Wataru Ootani;Atsushi Oya;Masato Takahashi;潘 晟;Sei Ban;Sei Ban
通讯作者：
Sei Ban