Electron temperature in semiconductor double barrier thermionic cooling heterostructures
Electron temperature in semiconductor double barrier thermionic cooling heterostructures
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半导体双势垒热离子冷却异质结构中的电子温度
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and K. Hirakawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
X. Zhu;M. Bescond;B. Bastard;C. Salhani;N. Nagai;and K. Hirakawa
