Y.Ishikawa,M.Kosugi,T.Tsuchiya and M.Tabe: "Concentration of Electric Field near Si Dot/Thermally-Grown SiO_2 Interface"Japanese Journal of Applied Physics. 40・3B(掲載決定). (2001)
Y.Ishikawa,M.Kosugi,T.Tsuchiya and M.Tabe: "Concentration of Electric Field near Si Dot/Thermally-Grown SiO_2 Interface"Japanese Journal of Applied Physics. 40・3B(掲載決定). (2001)
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Y.Ishikawa、M.Kosugi、T.Tsuchiya 和 M.Tabe：“Si Dot/Thermally-Grown SiO_2 Interface 附近的电场集中”，日本应用物理学杂志 40・3B（出版决定）。
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