Instability of a SiGe/Si-hetereo-interface in hetero-channel MOSFETs due to Joule heating(Invited Paper)
Instability of a SiGe/Si-hetereo-interface in hetero-channel MOSFETs due to Joule heating(Invited Paper)
复制标题
焦耳热导致异质沟道 MOSFET 中 SiGe/Si 异质界面的不稳定性（特邀论文）
DOI：
--
复制
发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
T. Tsuchiya
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
P.Homhuan;T.Nabatame;T.Chikyow;S.Tungasmita;J.Ohta;T. Tsuchiya
