アンモニア還元グラフェンを援用した化学エッチング法 －Ge表面上へのトレンチ構造の形成－
アンモニア還元グラフェンを援用した化学エッチング法 －Ge表面上へのトレンチ構造の形成－
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使用氨还原石墨烯的化学蚀刻方法-在Ge表面形成沟槽结构-
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
有馬健太
中科院分区：
文献类型：
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作者：
三栗野諒;小笠原歩見;平野智暉;川合健太郎;山村和也;有馬健太
