Investigation of the Plasma Damage by Etching Process for TSV Formation in Via-last Backside-via 3D IC
Investigation of the Plasma Damage by Etching Process for TSV Formation in Via-last Backside-via 3D IC
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后通孔背面通孔 3D IC 中 TSV 形成蚀刻工艺造成的等离子体损伤的研究
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Tetsu Tsnaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yohei Sugawara1;Hideto Hashiguchi;Seiya Tanikawa;Hisashi Kino;Kang-Wook Lee;Takafumi Fukusima;Mitsumasa Koyanagi;and Tetsu Tsnaka
