佐々木公洋、中田圭一、畑朋延: "IBSによるSiGeエピタキシャル成長の基礎特性" 信学技報. CPM96-110. 43-48 (1996)
佐々木公洋、中田圭一、畑朋延: "IBSによるSiGeエピタキシャル成長の基礎特性" 信学技報. CPM96-110. 43-48 (1996)
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Kimihiro Sasaki、Keiichi Nakata 和 Tomonobu Hata：“IBS 的 SiGe 外延生长的基本特征”CPM96-110 (1996)。
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