Perpendicular magnetic tunnel junctions using the ultrathin electrode of D022 or L10 MnGa and the effect of the Mn modifications
Perpendicular magnetic tunnel junctions using the ultrathin electrode of D022 or L10 MnGa and the effect of the Mn modifications
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使用D022或L10 MnGa超薄电极的垂直磁隧道结以及Mn修饰的影响
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and S. Mizukami
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Z. Suzuki;Y. Miura;R. Ranjbar;L. Bainsla;A. Ono;Sasaki;and S. Mizukami
