Normally-off AIGaN/GaN heterojunction field-effect transistors.
Normally-off AIGaN/GaN heterojunction field-effect transistors.
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常断 AIGaN/GaN 异质结场效应晶体管。
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Ao JP
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Pu T;Wang X;Huang Q;Li X;Bu Y;Fujiwara JL S;Kitahata H;Ao JP
