500℃動作SiC pnフォトダイオード
500℃動作SiC pnフォトダイオード
复制标题
500℃工作SiC pn光电二极管
DOI：
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发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
須田淳
中科院分区：
文献类型：
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作者：
渡辺直樹;木本恒暢;須田淳
