The carbon distribution in multicrystalline silicon ingots grown using the directional solidification process (vol 312, pg 1282, 2010)
The carbon distribution in multicrystalline silicon ingots grown using the directional solidification process (vol 312, pg 1282, 2010)
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2009.11.020
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发表时间：
2010-04
影响因子：
1.8
通讯作者：
Ying Teng;Jyh-Chen Chen-Jyh-Chen-Chen-2108131943;Chung-Wei Lu;Chi-Yung Chen
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ying Teng;Jyh-Chen Chen-Jyh-Chen-Chen-2108131943;Chung-Wei Lu;Chi-Yung Chen
