ホール効果を用いた低温成長InxGa1-xAsの局在準位の評価
ホール効果を用いた低温成長InxGa1-xAsの局在準位の評価
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使用霍尔效应评估低温生长的 InxGa1-xAs 中的局部能级
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
角屋豊
中科院分区：
文献类型：
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作者：
釣埼竣介;富永依里子;出浦桃子;角屋豊
