Integrated receivers up to 220 GHz utilizing GaAs-mHEMT technology
Integrated receivers up to 220 GHz utilizing GaAs-mHEMT technology
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采用 GaAs-mHEMT 技术的集成接收器，频率高达 220 GHz
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A. Leuther
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Zirath;N. Wadefalk;Rumen Kuzhuharov;S. Gunnarsson;I. Angelov;M. Abbasi;B. Hansson;V. Vassilev;J. Svedin;Staffan Rudner;I. Kallfass;A. Leuther;A. Leuther
综述了从60 GHz到更高频率遥感和通信应用的集成接收机的现状。硅和III-V技术的最新接收器结果与肖特基二极管接收器进行了比较。
The status of integrated receivers for remote sensing and communication applications from 60 GHz to higher frequencies is reviewed. Recent receiver results for silicon and III–V technologies are compared with Schottky diode receivers.