川上養一, 大前邦途, 成川幸男, 中村修二, 藤田茂夫: "InGaN系半導体デバイスの発光機構"材料. 50・4. 372-375 (2001)
川上養一, 大前邦途, 成川幸男, 中村修二, 藤田茂夫: "InGaN系半導体デバイスの発光機構"材料. 50・4. 372-375 (2001)
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川上洋一、大前国道、成川幸雄、中村修二、藤田繁夫：“InGaN 半导体器件的发光机理” 50・4（2001 年）。
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