VGF-InP中气孔形成机理及对晶体质量的影响

VGF-InP中气孔形成机理及对晶体质量的影响
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DOI:
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发表时间:
2020
期刊:
半导体技术
影响因子:
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通讯作者:
王阳
王阳
中科院分区:
其他
文献类型:
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作者:
田树盛;杨瑞霞;孙聂枫;王书杰;陈春梅;黄子鹏;付莉杰;王阳

文献摘要

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