Hanle measurements for accumulated spins in a silicon channel using a Schottky tunnel contact
Hanle measurements for accumulated spins in a silicon channel using a Schottky tunnel contact
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使用肖特基隧道接触对硅通道中累积自旋进行 Hanle 测量
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et.al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Ando;et.al.
