陽極酸化援用研磨法の単結晶4H-SiC基板への適用に関する検討
陽極酸化援用研磨法の単結晶4H-SiC基板への適用に関する検討
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阳极氧化辅助抛光方法在单晶4H-SiC衬底上的应用研究
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
細谷憲治
中科院分区：
文献类型：
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作者：
今西勇介;下園直樹;遠藤勝義;山村和也;澤江義則;細谷憲治
