Structural and optical properties of Si-doped AlGaN/AlN multiple quantum wells grown by MOVPE
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MOVPE 生长的硅掺杂 AlGaN/AlN 多量子阱的结构和光学性质
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T.Shibata
中科院分区：
文献类型：
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作者：
D.Li;T.Katsuno;M.Aoki;H.Miyake;K.Hiramatsu;T.Shibata
