基于光学散射仪的T型相变存储器三维形貌参数测量
基于光学散射仪的T型相变存储器三维形貌参数测量
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DOI：
10.3788/lop202259.1929001
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
聂磊
中科院分区：
文献类型：
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作者：
董正琼;袁顺;李晨阳;唐少康;聂磊
T型相变存储器的低功耗、非易失性、高存储密度和高可靠性等优势使其被国际半导体工业协会认为是下一代半导体存储器的主流产品之一。为了保证T型相变存储器制造工艺的可控性,提出了一种基于光学散射的纳米结构三维形貌参数测量方法。基于严格耦合波分析方法建立了T型相变存储器的光学特性模型。分析了待测样品上椭圆偏振光的振幅和相位变化量。用逆散射问题反演求解待测纳米结构的三维形貌参数等信息。利用光学散射仪对T型相变存储器的三维形貌参数进行测量,并将待测参数的提取结果与扫描电子显微镜的测量结果进行对比,验证了光学散射仪在T型相变存储器形貌表征及制造工艺监控上的可行性与有效性。