Interface carbon defects at 4H-SiC(0001)/SiO2 interfaces studied by electron-spin-resonance spectroscopy
Interface carbon defects at 4H-SiC(0001)/SiO2 interfaces studied by electron-spin-resonance spectroscopy
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电子自旋共振光谱研究 4H-SiC(0001)/SiO2 界面碳缺陷
DOI：
10.1063/1.5041059
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发表时间：
2018
影响因子：
4
通讯作者：
S. Harada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Umeda;G.-W. Kim;T. Okuda;M. Sometani;T. Kimoto;S. Harada
