Corrigendum: Cathodoluminescence nano-characterization of semiconductors (2011 Semicond. Sci. Technol. 26 064005)
Corrigendum: Cathodoluminescence nano-characterization of semiconductors (2011 Semicond. Sci. Technol. 26 064005)
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勘误表：半导体的阴极发光纳米表征（2011 Semicond. Sci. Technol. 26 064005）
DOI：
10.1088/1361-6641/aac678
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发表时间：
2018
影响因子：
1.9
通讯作者：
Edwards P
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Edwards P
在我们的原始论文中，我们估计了在收集锥半角u上的发光并将其耦合到具有给定f/数和狭缝宽度d的光谱仪中时会产生的最大视场（FOV）。由于在近轴区域外使用了小角度近似，公式2中给出的表达式使用了角度的正切，而不是正确的正弦函数。
In our original paper, we estimated the maximum field of view (FOV) that would result when collecting luminescence over a cone half-angle u and coupling this into a spectrograph with a given f/number and a slit width d. Due to the use of the low-angle approximation outwith the paraxial regime, the expression given in Equation 2 used the tangent of the angle rather than the correct sine function.