Dislocation and polarity analysis of AlN layer grown from liquid phase epitaxy using Ga-Al flux
Dislocation and polarity analysis of AlN layer grown from liquid phase epitaxy using Ga-Al flux
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使用 Ga-Al 助熔剂液相外延生长 AlN 层的位错和极性分析
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Fukuyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Adachi;A. Tanaka;D. Morikawa;K. Tsuda;H. Kobatake;M. Ohtsuka;H. Fukuyama
