Nobuhiko Nishiyama: "Growth and optical properties of highly strained GaInAs/GaAs quantum wells on (311)B GaAs by MOCVD"J.Crystal Growth. 221. 530-534 (2000)
Nobuhiko Nishiyama: "Growth and optical properties of highly strained GaInAs/GaAs quantum wells on (311)B GaAs by MOCVD"J.Crystal Growth. 221. 530-534 (2000)
复制标题
Nobuhiko Nishiyama：“通过 MOCVD 在 (311)B GaAs 上实现高应变 GaInAs/GaAs 量子阱的生长和光学特性”J.Crystal Growth。
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
