Cu系抵抗変化メモリへの電圧印加に伴うCuの移動
Cu系抵抗変化メモリへの電圧印加に伴うCuの移動
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由于对 Cu 基电阻变化存储器施加电压而导致的 Cu 迁移
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
有田 正志
中科院分区：
文献类型：
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作者：
中島 励;久保 玲央;福地 厚;有田 正志
