基于摄动法研究短沟道SOI MOSFET亚阈值特性

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DOI:
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发表时间:
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期刊:
微电子学与计算机
影响因子:
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通讯作者:
褚蕾蕾
褚蕾蕾
中科院分区:
其他
文献类型:
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作者:
高珊;金林;陈军宁;褚蕾蕾

文献摘要

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