GdN (1 1 1) heteroepitaxy on GaN (0 0 0 1) by N2 plasma and NH3 molecular beam epitaxy
GdN (1 1 1) heteroepitaxy on GaN (0 0 0 1) by N2 plasma and NH3 molecular beam epitaxy
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2008.12.050
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发表时间：
2009-02
影响因子：
1.8
通讯作者：
M. Scarpulla;C. Gallinat;S. Mack;J. Speck;A. Gossard
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M. Scarpulla;C. Gallinat;S. Mack;J. Speck;A. Gossard
