Design of low power, variation tolerant single bitline 9T SRAM cell in 16-nm technology in subthreshold region
Design of low power, variation tolerant single bitline 9T SRAM cell in 16-nm technology in subthreshold region
复制标题
采用 16 nm 技术在亚阈值区域设计低功耗、容变单位线 9T SRAM 单元
DOI：
10.1016/j.microrel.2021.114126
复制
发表时间：
2021
影响因子：
1.6
通讯作者：
A. Islam
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chandramauleshwar Roy;A. Islam
采用列线辅助 (CLA) 方案的 0. 56V 128kb 10T SRAM
DOI：
--
发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
--
作者：
Mingjie Zheng;Yusuke Ogura;and Jun Tanida;高田裕司;S. Okumura
通讯作者：
S. Okumura