γ-Ray irradiation effects on 6H-SiC MOSFET
γ-Ray irradiation effects on 6H-SiC MOSFET
复制标题
γ射线辐照对6H-SiC MOSFET的影响
DOI：
10.1016/s0921-5107(98)00560-1
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发表时间：
1999
影响因子：
3.6
通讯作者：
I. Nashiyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Ohshima;M. Yoshikawa;H. Itoh;Y. Aoki;I. Nashiyama
